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压电传感器过载的保护方法
- 分类:技术知识
- 发布时间:2020-08-07 12:02
【概要描述】压电传感器有许多参数指示器,其中之一是过载保护,过载是指超过设备本身额定负载的过载。现象是电流过大,电气设备发热,线路长期过载会降低线路的绝缘水平,甚至烧毁传感器设备或线路;过载保护是指即使负荷超过额定负荷,线路也不会烧坏,但有一定程度,一般为150%,过载运行不能继续。
压电传感器过载的保护方法
【概要描述】压电传感器有许多参数指示器,其中之一是过载保护,过载是指超过设备本身额定负载的过载。现象是电流过大,电气设备发热,线路长期过载会降低线路的绝缘水平,甚至烧毁传感器设备或线路;过载保护是指即使负荷超过额定负荷,线路也不会烧坏,但有一定程度,一般为150%,过载运行不能继续。
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压电传感器有许多参数指示器,其中之一是过载保护,过载是指超过设备本身额定负载的过载。现象是电流过大,电气设备发热,线路长期过载会降低线路的绝缘水平,甚至烧毁传感器设备或线路;过载保护是指即使负荷超过额定负荷,线路也不会烧坏,但有一定程度,一般为150%,过载运行不能继续。
压电传感器有多种类型,每种结构的过载保护设计方法也不同。许多方法都有各自的优缺点。采用微机电系统技术的小量程高灵敏度压力传感器通常有平膜片、岛膜片、梁膜等结构,在设计过载保护时通常采用凸点等方法实现。
形成方法包括背蚀刻技术、硅直接键合技术和玻璃蚀刻技术。然而,这些结构通常具有很大的局限性,因为空腔尺寸大,灵敏度进一步受到限制,并且硅晶片的利用率降低,制造工艺的复杂性增加,并且生产成本增加。
目前,小量程高灵敏度压电传感器的研究主要集中在牺牲层结构的压力传感器上。这主要是因为牺牲层结构压力传感器的弹性膜片很薄,厚度可以是2m甚至更薄。
在这样薄的结构中,如果采用扩散硅或多晶硅薄膜作为牺牲层结构压力传感器的应变电阻,其厚度相对较大,这对弹性膜片的应力分布有很大影响,不利于牺牲层结构压力传感器的性能优化。因此,通过使用多晶硅纳米薄膜来制造应变电阻器,可以进一步利用牺牲层技术的优点。
过载保护是每个传感器都要考虑的因素,因为在使用过程中,测量值可能会大于范围。只有设计有过载保护的传感器才能更好地使用,并且可以使用更长时间。
如何为每个压电传感器设计过载保护有不同的过载范围,所以无论你买什么样的传感器,你都必须知道它有多少过载保护,以便将来可以更方便地使用。由于过载,没有电路烧坏。
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